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Pensato per studenti, ingegneri e professionisti, questo libro riunisce la teoria dell'elettrostatica e della strumentazione capacitiva per passare dal modello al dispositivo. Dopo aver trattato le basi (calcolo vettoriale, equazioni di Laplace/Poisson, condizioni al contorno, teorema di unicità), passa ai mezzi dielettrici, alla capacità, all'energia e alle forze (sollecitazione di Maxwell, effetti di bordo) e alle loro implicazioni progettuali. Una sezione consistente illustra i metodi numerici FDM/FEM/BEM: scelta delle simmetrie, mesh, criteri di convergenza, validazione sperimentale. Per quanto riguarda le misure, il libro tratta i misuratori LCR, i ponti di Schering, le tecniche di protezione, la schermatura e la messa a terra, la calibrazione e l'incertezza, con protocolli e fogli di calcolo passo-passo. Casi di studio (cavi coassiali, sensori capacitivi, interfacce tattili, strutture MOS/MEMS) mostrano come collegare geometria, permittività e prestazioni. Ogni capitolo comprende "ricette" di modellazione, liste di controllo di laboratorio ed esercizi corretti per aiutarvi a consolidare le vostre competenze. Progettato per scopi formativi e ingegneristici, il libro è finalizzato all'uso sicuro ed efficiente dei sistemi capacitivi.
A propos de l'auteur
Mohammed RASHEED, Professor und Wissenschaftler für angewandte Wissenschaften (Technische Universität Bagdad; Université d'Angers), arbeitet in den Bereichen Nanotechnologie, Dünnfilme, Optik, Materialien, Keramiken, Polymere, Laser, Modellierung und Bildverarbeitung. Autor von >220 Artikeln, >70 Kollaborationen in >10 Ländern; Gutachter für >200 Zeitschriften.
