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I semiconduttori a base di nitruri III, in particolare i materiali a base di GaN, tra cui il GaN binario e le relative leghe con InN e AlN, come il ternario AlGaN e InGaN e il quaternario InAlGaN, sono stati intensamente studiati negli ultimi anni a causa delle potenziali applicazioni per i dispositivi optoelettronici operanti nell'intervallo spettrale delle brevi lunghezze d'onda e nei dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta temperatura. I materiali a base di GaN sono ideali anche per la fabbricazione di rivelatori UV ciechi al visibile e altamente reattivi, grazie alle loro proprietà uniche che comprendono un band gap ampio e diretto, elevati coefficienti di assorbimento e un taglio netto della lunghezza d'onda di rivelazione. L'elevata tensione di breakdown e l'alta velocità di saturazione consentono inoltre di utilizzare i materiali a base di GaN per il funzionamento di dispositivi ad alta velocità e per applicazioni ad alta potenza, come amplificatori di potenza per stazioni radio base, amplificatori a basso rumore e interruttori ad alta potenza. I dispositivi di rilevamento sono un'altra importante applicazione dei materiali a base di GaN, soprattutto in ambienti difficili, grazie all'elevata stabilità termica e chimica di questi materiali.
A propos de l'auteur
Dr. Mansour S. Farhan, professore presso il College of Engineering/Wasit University. Ha esperienza nella tecnologia di fabbricazione di film sottili per dispositivi optoelettronici - Dr. Hasan F. Khazaal, professore assistente presso il College of Engineering/Wasit University. Ha esperienza nella fabbricazione e nella messa a punto di circuiti a microonde e nella tecnologia educativa.
