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Die absolut quantitative und standardfreie Analyse von Konzentrationsprofilen in ultradünnen Oxidschichten, insbesondere an deren Grenzflächen, stellt eine enorme Herausforderung an die in Verwendung kommende Analysetechnik dar. Im Rahmen dieser Arbeit stand die Weiterentwicklung der hochauflösenden Rutherford-Streuspektrometrie (HR- RBS) im Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD) sowie die Beantwortung grundlegender experimenteller und theoretischer Fragestellungen zur HR-RBS im Vordergrund, die weltweit nur von einzelnen Gruppen erfolgreich angewendet wird. In Kooperation mit Qimonda AG und Fraunhofer CNT wurde die HR-RBS als zerstörungsfreie Ionenstrahlanalyse zur Quantifizierung von Tiefenprofilen an den Grenzflächen von Schichtsystemen im Sub- Nanometerbereich adaptiert, um das Diffusionsverhalten und Schichtwachstum im Anfangsstadium von high-k Dielektrika zu untersuchen. Die in sechs Kapitel unterteilte Dissertation beschreibt ausführlich durchgeführte Experimente zur Untersuchung von oberflächennahen high-k Schichten, die mittels Atomic Layer Deposition (ALD) abgeschieden worden sind.
A propos de l'auteur
Dr. rer. nat. Maik Vieluf absolvierte eine Ausbildung zum Energieelektroniker sowie eine Weiterbildung zum staatlich geprüften Techniker für Elektrotechnik. Von 2001 bis 2006 studierte er Physik an der TU Chemnitz. In Kooperation mit Qimonda und dem FZD promovierte er 2010 an der TU Dresden auf dem Gebiet der Ionenfestkörperwechselwirkung.
