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Actualmente, el Silicio es en uno de los materiales más importantes en la industria de la electrónica. Sin embargo, el carburo de silicio (SiC) presenta en gran medida propiedades que superan por mucho al silicio en dispositivos a altas temperaturas. Desde 1998, el uso de este material de manera comercial principalmente en dispositivos basados en SiC ha aumentado considerablemente, debido a la necesidad de obtener dispositivos electrónicos capaces de operar a altas temperaturas y soportar altos campos eléctricos. Este libro permite dar un panorama más amplio de las propiedades ópticas y estructurales del PSiC. Los innovadores resultados encontrados en este trabajo, permiten desarrollar una metodología de caracterización del PSiC mediante técnicas no destructivas y de no contacto, que permiten dar información de la muestra sobre pequeños volúmenes de forma rápida.
A propos de l'auteur
Es profesor de Propiedades Ópticas en Nano materiales y Semiconductores Porosos en SEPI-UPIITA IPN en México. Es miembro del SNI de CONACYT en México. Los intereses de investigación del Dr. Aarón están centrados en fotónica, nano materiales, puntos cuánticos y semiconductores porosos entre otros.
