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La maggior parte delle ricerche sul consumo di potenza dei circuiti si è concentrata sulla potenza di commutazione e la potenza dissipata dalla corrente di dispersione è stata un'area relativamente minore. Tuttavia, nell'attuale processo VLSI, la corrente sotto-soglia diventa uno dei fattori principali del consumo di energia, soprattutto nelle memorie di fascia alta. Per ridurre la potenza di dispersione nelle SRAM, è possibile applicare il metodo del power gating, la cui tecnica principale è l'utilizzo di transistor sleep per controllare la corrente sotto-soglia. In questo progetto si adottano tensioni di soglia doppie; le normali celle SRAM hanno tensioni di soglia inferiori e le tensioni di soglia superiori controllano i transistor di sleep. La dimensione dei transistor di sleep può essere scelta in base alla corrente del caso peggiore e sono applicati a ogni blocco.
Über den Autor / die Autorin
O Sr. Rajan Prasad Tripathi trabalha como Professor Assistente no Departamento de Engenharia Electrónica e de Comunicação, Amity School of Engineering and Technology. O Sr. Rahul Kumar Verma trabalha como Professor Assistente no Departamento de Engenharia Electrónica e de Comunicação, Escola de Engenharia e Tecnologia da Amity.
