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L'industria microelettronica si è spostata verso il regime di nanoscala che ha raggiunto bassa potenza e alta velocità di commutazione nei circuiti elettronici. Secondo l'International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS-2020, la tecnologia di oggi ha raggiunto una dimensione di feature sub-10nm e si sta muovendo verso 5.6nm. Per sostenere il down scaling non è solo essenziale sviluppare nuove architetture di dispositivi, ma potrebbe anche essere richiesto di sostituire il silicio. Intel ha sviluppato dispositivi basati su transistor tri-gate a 14nm di lunghezza del gate. I FET multi-gate e le strutture a transistor Nanowire si trovano adatti al di sotto del nodo tecnologico di 14nm. Tuttavia, i Nanowire verticali sviluppati con materiali composti III-V, materiali di ossido di gate ad altä, e cancelli metallici con migliori prestazioni sono esplorati.
Über den Autor / die Autorin
Subha Subramaniam ha realizado una contribución única en los amplios desarrollos técnicos del campo de la nanoelectrónica. En más de 20 años de docencia, ha sido profesora asociada y ha impartido varias asignaturas en el campo de la electrónica. Actualmente está afiliada al Shah and Anchor Kutchhi Engineering College, Mumbai, INDIA.
