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Nanoscale Mos Transistors - Semi-Classical Transport and Applications

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Informationen zum Autor David Esseni is an Associate Professor of Electronics at the University of Udine, Italy. Pierpaolo Palestri is an Associate Professor of Electronics at the University of Udine, Italy. Luca Selmi is a Professor of Electronics at the University of Udine, Italy. Klappentext Provides the theoretical background and the physical insight needed to understand new and future developments in nanoscale CMOS technologies. Zusammenfassung Provides the theoretical background and physical insight needed to understand new and future developments in the modeling and design of n- and p-MOS nanoscale transistors. Written from an engineering standpoint! it covers all the latest topics and assumes minimal background in solid state physics and quantum mechanics. Inhaltsverzeichnis 1. Introduction; 2. Bulk semiconductors and the semi-classical model; 3. Quantum confined inversion layers; 4. Carrier scattering in silicon MOS transistors; 5. The Boltzmann transport equation; 6. The Monte Carlo method for the Boltzmann transport equation; 7. Simulation of bulk and SOI silicon MOSFETs; 8. MOS transistors with arbitrary crystal orientation; 9. MOS transistors with strained silicon channels; 10. MOS transistors with alternative materials; Appendix A. Mathematical definitions and properties; Appendix B. Integrals and transformations over a finite area A; Appendix C. Calculation of the equi-energy lines with the k-p model; Appendix D. Matrix elements beyond the envelope function approximation; Appendix E. Charge density produced by a perturbation potential.

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