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El objetivo del diseño del SiNWFET con espaciador dual k es reducir el SCE y aumentar la relación entre la corriente de encendido y apagado. El dispositivo propuesto combina eficazmente diferentes mecanismos para reducir el sub umbral de oscilación (SS). Mediante el uso de espaciadores y uniones Schottky, se obtiene un sistema más eficiente para mejorar las métricas de diseño, como la densidad eléctrica, el potencial y la resistencia del dispositivo. Los resultados de nuestra simulación muestran que, aunque el espaciador de alta ¿ mejora el rendimiento del dispositivo, como ION, S/S, el rendimiento del dispositivo mejora y se reducen las pérdidas. En el SiNWFET existente, reducir el grosor del óxido de la puerta no parece ser una buena idea, ya que provoca una reducción en la relación de corriente de encendido-apagado, aunque el S/S permanece prácticamente inalterado. En un FET normal sin espaciador, tiene una alta corriente de apagado y un mayor efecto de canal corto. En el existente, la corriente de apagado es mayor y el rendimiento también se reduce. La revisión, síntesis y realización de la bibliografía son métricas reales de un intento estándar o de posgrado de revisión bibliográfica. Una revisión bien organizada y formulada arrojará la mejor luz sobre la contribución y el encuadre de la buena metodología.
Info autore
N.S. Murti Sarma et Ch.Sathyanarayana sont professeurs à l'Institut des sciences et technologies Sreenidhi, à Yamnampet, dans l'État de Telangana. K. Sandhya Rani était chercheuse en VLSI et systèmes embarqués. Tous les auteurs ont plusieurs publications à leur actif.
