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El consumo de energía de la memoria principal tiene un efecto significativo en el rendimiento del sistema del microprocesador. La energía generada a partir de la energía consumida por la memoria principal es una de las limitaciones críticas del rendimiento del microprocesador. Esto se observa particularmente en dispositivos informáticos portátiles y ordenadores integrados, como teléfonos móviles, PDA y ordenadores portátiles.La memoria RAM magnética (MRAM) es una nueva tecnología de memoria emergente que combina la alta velocidad de la memoria RAM estática (SRAM) con las características de acceso, densidad y coste de la memoria DRAM. La SRAM es una tecnología de memoria no volátil que retiene datos en sus celdas sin precarga. Se utiliza principalmente como caché en ordenadores. La MRAM utiliza el magnetismo para almacenar bits de datos. Utiliza la polaridad magnética de una fina capa ferromagnética para almacenar datos. Se utiliza electricidad para cambiar la polaridad magnética de su celda.
Info autore
Dr. Shehu Salihu Mustafa hat einen Bachelor-Abschluss in Elektrotechnik von der Federal University of Technology Minna. Anschließend erwarb er einen MSc in Computertechnik an der University of Hertfordshire, Großbritannien. Er promovierte in elektrischer Energietechnik an der Universiti Putra Malaysia.
