Ulteriori informazioni
I dielettrici ad alta permittività e i substrati adatti sono oggetto di studi intensivi in vista del loro utilizzo nella progettazione VLSI. Tuttavia, l'ossido di afnio (HfO2) è un candidato promettente per la prossima generazione di dielettrici di gate grazie alla sua costante dielettrica relativamente alta 25 , all'ampio bandgap, alla buona stabilità termica e all'energia libera di reazione relativamente alta con il materiale del substrato. Recentemente, i dispositivi elettronici basati sul Ge hanno riguadagnato una notevole attenzione e il Ge può fornire soluzioni ai principali problemi che la tecnologia Si sta affrontando per i dispositivi CMOS avanzati; ciò è dovuto principalmente alla maggiore mo-bilità sia delle buche che degli elettroni nel substrato Ge. Questo libro è quindi utile ai lettori per conoscere alcuni aspetti significativi della tecnologia Ge per i dispositivi ad alta frequenza.
Info autore
T.V.Rajesh, Universidad Deakin, Australia. Ha publicado dos artículos internacionales. Dr.S.V.Jagadeesh Chandra, Profesor de LBRCE, Mylavaram. Ha publicado 1 libro y 35 artículos científicos en revistas de referencia. Dr. CH.V.V.Ramana, Profesor Asociado de CECC, Chirala. Ha publicado 4 libros, 1 capítulo de libro y 40 artículos científicos en revistas especializadas.
