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Concevoir une mémoire dynamique synchrone à accès aléatoire (SDRAM) de 8 MB x 16 x 4-BAnk (512 MB) en utilisant le langage de description du matériel Verilog, qui peut être utilisé dans n'importe quelle application basée sur la mémoire. Aujourd'hui, les ordinateurs, ainsi que d'autres systèmes électroniques qui nécessitent de grandes quantités de mémoire, utilisent des DRAM pour la mémoire de base. En raison de la structure unique des cellules de transistor de la DRAM, des réseaux de mémoire extrêmement denses peuvent être construits dans un seul dispositif occupant un encombrement relativement faible. La DRAM conventionnelle est contrôlée de manière asynchrone, ce qui oblige le concepteur du système à insérer manuellement les états de veille pour répondre aux spécifications du dispositif. La synchronisation dépend de la vitesse de la DRAM et est indépendante de la vitesse du bus système. Cesont ces limitations de la synchronisation qui ont conduit au développement de la SDRAM. La SDRAM est en grande partie une DRAM rapide avec une interface synchrone à grande vitesse. Les signaux d'entrée/sortie et de contrôleur sont synchronisés avec une horloge externe, ce qui offre de nouvelles options au concepteur. Des circuits d'interface simplifiés et un débit de données élevé peuvent être obtenus en utilisant la SDRAM par rapport à la DRAM conventionnelle.
Info autore
Abhishek Kumar y Ritesh Singh, Profesor Asistente, Departamento de Ingeniería Eléctrica, Universidad Manipal Jaipur, Jaipur, India. Su área de investigación incluye, Diseño de Sistemas Degitales, Modelado y Simulación, Dinámica y Estabilidad de Vuelo, UAV, y Sistema de Control No Lineal, Diseño Basado en Modelos, Vehículos Hipersónicos, Sistemas Autónomos.
