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L'industria microelettronica si è spostata verso il regime di nanoscala che ha raggiunto bassa potenza e alta velocità di commutazione nei circuiti elettronici. Secondo l'International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS-2020, la tecnologia di oggi ha raggiunto una dimensione di feature sub-10nm e si sta muovendo verso 5.6nm. Per sostenere il down scaling non è solo essenziale sviluppare nuove architetture di dispositivi, ma potrebbe anche essere richiesto di sostituire il silicio. Intel ha sviluppato dispositivi basati su transistor tri-gate a 14nm di lunghezza del gate. I FET multi-gate e le strutture a transistor Nanowire si trovano adatti al di sotto del nodo tecnologico di 14nm. Tuttavia, i Nanowire verticali sviluppati con materiali composti III-V, materiali di ossido di gate ad altä, e cancelli metallici con migliori prestazioni sono esplorati.
Info autore
Subha Subramaniam ha realizado una contribución única en los amplios desarrollos técnicos del campo de la nanoelectrónica. En más de 20 años de docencia, ha sido profesora asociada y ha impartido varias asignaturas en el campo de la electrónica. Actualmente está afiliada al Shah and Anchor Kutchhi Engineering College, Mumbai, INDIA.
