Fr. 65.00

Bauelemente der Halbleiter-Elektronik

Tedesco · Tascabile

Spedizione di solito entro 1 a 2 settimane (il titolo viene stampato sull'ordine)

Descrizione

Ulteriori informazioni


Aus den Besprechungen: "Das Buch ist der zweite Band der Buchreihe Halbleiter-Elektronik und entstand aus Vorlesungen an der TU München. Es behandelt die technisch interessanten Halbleiter-Einzelbauelemente, wobei gewisse Grundkenntnisse der Halbleiterphysik vorausgesetzt werden, wie sie z.B. der erste Band dieser Reihe vermittelt. Der Schwerpunkt liegt auf der Beschreibung des grundsätzlichen Aufbaus der Bauelemente sowie der Erklärung ihrer Wirkungsweise und elektrischen Kenngrößen an vereinfachten Modellen. ... Gut ausgewählte Übungsaufgaben mit Lösungen bilden eine wesentliche Bereicherung des Buches, das Studenten der Elektrotechnik und Ingenieuren in der Praxis empfohlen werden darf, die sich über die Wirkungsweise von diskreten Halbleiterbauelementen unterrichten wollen." VDI-Zeitschrift

Sommario

Physikalische Größen.- 1 Dioden.- 1.1 Kennlinie und Impedanz.- 1.2 Schaltverhalten.- 1.3 Rauschen.- 1.4 Ausführungsformen von Gleichrichterdioden.- 1.5 pin-Diode.- 1.6 p+sn+-Leistungsgleichrichter.- 1.7 Z-Diode.- 1.8 Rückwärts-Diode.- 1.9 Tunneldiode.- 1.10 Varaktordiode (Sperrschichtvaraktor, Speichervaraktor, MIS-Diode).- 1.11 Metall-Halbleiter-Kontakt (Schottky-Diode, Ohmscher Kontakt).- 1.12 Fotodiode und Solarzelle.- 1.13 Lumineszenz-und Laserdiode.- 1.14 Impatt-Diode.- 1.15 Gunn-und LSA-Diode.- Übungen.- 2 Injektionstransistoren.- 2.1 Aufbau und Wirkungsweise.- 2.2 Emitter-und Kollektorstrom.- 2.3 Basisstrom.- 2.4 Grundschaltungen.- 2.5 Kennlinienfelder.- 2.6 Kleinsignal-Ersatzschaltbilder.- 2.7 Großsignalverhalten.- 2.8 Grenzdaten.- 2.9 Thermische Stabilität.- 2.10 Rauschen.- 2.11 Fototransistor.- Übungen.- 3 Feldeffekttransistoren.- 3.1 Einführung.- 3.2 Wirkungsweise des Sperrschicht-FET (JFET, junction FET).- 3.3 Ausfuhrungsformen des Sperrschicht-FET.- 3.4 Wirkungsweise und Betriebsarten des MIS-FET.- 3.5 Ausführungsformen von MIS-FET.- 3.6 GaAs-MES-FET.- 3.7 Theorie der Ladungssteuerung.- 3.8 Kleinsignalverhalten.- 3.9 Grundschaltungsarten von Kleinsignalverstärkern.- 3.10 Grenzfrequenz.- 3.11 Rauschen.- 3.12 Vergleich mit bipolaren Transistoren.- 3.13 Ladungsverschiebungselemente (CTD, CCD).- Übungen.- 4 Thyristoren.- 4.1 Kennlinienäste.- 4.2 Zündvorgang (Löschvorgang).- 4.3 Statische Eigenschaften des Hauptstromkreises.- 4.4 Zündstromkreis.- 4.5 Einschaltverhalten.- 4.6 Ausschaltverhalten.- 4.7 Aufbau des Thyristors.- 4.8 Sonderfomen von Thyristoren.- 4.9 Triac (Zweiwegthyristor).- 4.10 Vergleich Transistor, Thyristor, Triac.- Übungen.- 5 Integrierte Schaltungen.- 5.1 Einleitung.- 5.2 Passive Bauelemente.- 5.3 Isolationstechniken.- 5.4Parasitäre Effekte.- 5.5 Transistor als Last.- 5.6 Schottky-Transistor.- 5.7 Logikbausteine (Gatter).- 5.8 Speicher.- 5.9 Entwurf, Herstellung und Prüfen.- 6 Spezielle Halbleiter-Bauelemente.- 6.1 Hall-Generator.- 6.2 Feldplatte.- 6.3 Fotowiderstand.- 6.4 Dehnungsmeßstreifen.- 6.5 Heißleiter (NTC-Widerstand).- 6.6 Kaltleiter (PTC-Widerstand).- 6.7 Chemosensoren.- 6.8 Thermoelektrischer Energiewandler.- 6.9 Thermoelektrischer Kühler.- 6.10 Varistoren.- 7 Anhang.- 7.1 Rauschen.- 7.2 Influenzstrom.- 7.3 Laserprinzip.- 7.4 Diodenkennlinie bei überwiegender Generation/Rekombination in der Raumladungszone.- 7.5 Verknüpfung zwischen normalen Strahlungsgrößen und fotometrischen Größen.- 7.6 "Zweidimensionales" Elektronengas.- 7.7 Gummel-Poon-Modell.

Info autore

Dr. Rudolf Müller, geboren 1944, Studium der Betriebswirtschaft in München, mehr als 20 Jahre lang geschäftsführender Gesellschafter in mittelständischen Unternehmen. Tätigkeitsschwerpunkte: internationales Marketing, Personal- und Organisationsentwicklung. Er lebt in Aschau, südlich des Chiemsees, und leitet das Institut für Unternehmensentwicklung.

Dettagli sul prodotto

Autori Rudolf Müller
Editore Springer, Berlin
 
Lingue Tedesco
Formato Tascabile
Pubblicazione 01.01.1991
 
EAN 9783540544890
ISBN 978-3-540-54489-0
Pagine 328
Peso 490 g
Illustrazioni 328 S. 30 Abb.
Serie Halbleiter-Elektronik
Halbleiter-Elektronik
Categoria Scienze naturali, medicina, informatica, tecnica > Tecnica > Altro

Recensioni dei clienti

Per questo articolo non c'è ancora nessuna recensione. Scrivi la prima recensione e aiuta gli altri utenti a scegliere.

Scrivi una recensione

Top o flop? Scrivi la tua recensione.

Per i messaggi a CeDe.ch si prega di utilizzare il modulo di contatto.

I campi contrassegnati da * sono obbligatori.

Inviando questo modulo si accetta la nostra dichiarazione protezione dati.