Elaboration des nitrures de - Gallium avec traitement si

Le traitement Si/N, lors de l'élaboration du GaN à haute température et à pression atmosphérique par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMétalliques (EPVOM), améliore nettement la qualité morphologique, électrique, structurale et optique. Le mode de croissance observé est un passage de 3D à 2D au cours de l'épaississement de la couche de GaN. Par la suite un dopage de type p et n dans GaN est réalisé en utilisant respectivement le magnésium et le silicium, conduisant ainsi à une homojonction p/n pour fabriquer une diode électroluminescente bleue. Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectuée.

Info autore

Docteur en physique des matériaux semi-conducteurs. Elle a soutenu sa thèse de doctorat en 2006 à l'université ElManar II de Tunis. Elle enseigne à la faculté des sciences de Monastir-Tunisie. Ses travaux de recherche se focalisent sur l'élaboration des semi-conducteurs III-V appliqués aux dispositifs optoélectroniques.

Dettagli sul prodotto

• Autori: Zohra Benzarti, Benzarti-Z
• Editore: Omniscriptum
• Lingue: Francese
• Pubblicazione: 19.10.2011
• EAN: 9786131597275
• ISBN: 9786131597275
• Serie: Omn.Univ.Europ.
• Categorie: Scienze naturali, medicina, informatica, tecnica > Fisica, astronomia > Altro; Scienze umane, arte, musica > Scienze linguistiche e letterarie > Letteratura generale e comparata