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Diese Arbeit befasst sich mit der Untersuchung von Quantenfilm-Übergittern auf Basis von II/VI-Halbleitermaterialien (CdTe)n/(HgTe)n. Diese Heterostrukturen weisen interessante strukturelle und elektronische Eigenschaften auf.Die lineare Muffin-Tin-Orbital-Methode (FP-LMTO) basierend auf der Dichtefunktionaltheorie (DFT) wurde verwendet. DFT ist eine der Ab-initio-Methoden. Die Austausch- und Korrelationsenergien werden mithilfe der generalisierten Gradientennäherung (GGA) beschrieben. Die Struktureigenschaften von CdTe- und HgTe-Verbindungen sowie ihrer (CdTe)n/(HgTe)n-Übergitter wurden für Konfigurationen (n = 1 bis 2) in der Zinkblende-Phase berechnet. Zu den wichtigsten Ergebnissen zählt, dass der Parameter a2,2 doppelt so groß ist wie a1,1.Die berechneten Struktureigenschaften der CdTe- und HgTe-Verbindungen stimmen gut mit verfügbaren experimentellen und theoretischen Daten überein.Anhand der elektronischen Eigenschaften lässt sich feststellen, dass die Materialien CdTeet und HgTeet sowie deren Übergitter einen direkten Bandabstand aufweisen.
About the author
Bekheira Samir, geboren am 14. Juni 1986 in Mediouna, Provinz Relizane (Algerien), besitzt einen Doktortitel in Naturwissenschaften (mit Schwerpunkt Physik), den er 2021 an der Nationalen Polytechnischen Schule von Oran erwarb. Er verfügt über mehr als 17 Jahre Erfahrung im Physikunterricht.
