Read more
L'objectif de la conception du SiNWFET à double espaceur k est de réduire le SCE et d'augmenter le rapport courant marche/arrêt. Le dispositif proposé combine efficacement différents mécanismes permettant de réduire le sub threshold swing (SS). L'utilisation d'espaceurs et d'une jonction Schottky permet d'obtenir un système plus efficace pour améliorer les paramètres de conception tels que la densité électrique, le potentiel et la résistance du dispositif. Nos résultats de simulation montrent que, bien que l'espaceur à haute constante diélectrique améliore les performances du dispositif telles que l'ION, le S/S, les performances du dispositif sont améliorées et les pertes réduites. Dans le SiNWFET existant, la réduction de l'épaisseur de l'oxyde de grille n'est pas une bonne idée, car elle entraîne une réduction du rapport courant marche/arrêt, bien que le S/S reste pratiquement inchangé. Dans un FET normal sans espaceur, le courant d'arrêt est élevé et l'effet de canal court est accru. Dans les dispositifs existants, le courant de coupure est plus élevé et les performances sont également réduites. La revue, la synthèse et la conduite de la littérature sont des mesures réelles d'une tentative standard ou postuniversitaire de revue de la littérature. Une revue bien organisée et formulée mettra en lumière la contribution et le cadre d'une bonne méthodologie.
About the author
N.S. Murti Sarma und Ch.Sathyanarayana sind Fakultätsmitglieder des Sreenidhi Institute of Science and Technology in Yamnampet, Medchal, im Bundesstaat Telangana. K. Sandhya Rani war Forschungsstipendiatin für VLSI und eingebettete Systeme. Alle Autoren haben mehrere Veröffentlichungen vorzuweisen.
