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Cette étude rapporte la croissance de films minces de sulfure d'étain en utilisant une technique de dépôt par bain chimique à faible coût. Il est donc nécessaire de contrôler le développement des couches minces. Diverses analyses ont été effectuées, telles que : XRD, SEM, EDS, AFM, spectrophotométrie et TSC. Toutes ces analyses nous ont permis d'améliorer les propriétés physiques des films minces de SnS pour les cellules solaires. Dans ce contexte, nous avons élaboré des films minces de sulfure d'étain utilisés comme matériau absorbant dans les dispositifs photovoltaïques. Pour cela, différents dopages tels que le fer, l'argent et le gallium ainsi qu'un recuit en atmosphère contrôlée ont été réalisés afin d'augmenter la conductivité de ces films minces. Le dopage a été effectué pendant le processus de croissance en ajoutant une concentration relative de solutions aqueuses contenant des ions Fe2+, Ag2+ et Ga2+. Les propriétés physiques ont été étudiées par XRD, AFM, SEM et TSC. Il a été constaté ultérieurement que les films minces SnS dopés n'entraînent pas de diminution de la résistivité. Ainsi, d'autres caractérisations physiques sont en cours afin d'optimiser les propriétés des films minces et en particulier la résistivité au moyen d'un traitement thermique approprié sous atmosphère contrôlée.
About the author
Meriem Reghima comenzó el área de investigación en el Laboratorio de Física de la Materia Condensada de la Facultad de Ciencias de Túnez en colaboración con la Universidad de Montpellier. Obtuvo el doctorado en física el 23 de enero de 2015 en la Universidad de Montpellier. Es autora y coautora de seis publicaciones sobre el crecimiento de SnS.
