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Dieses Buch beschreibt das SRAM-Entwurfskonzept in FinFET-Technologien unter Verwendung der einzigartigen Merkmale nicht-planarer Bauelemente mit doppeltem Gate. Der für das Design von FinFETs erforderliche Parameterraum wird erforscht. Es wird eine Vielzahl von SRAM-Entwurfstechniken vorgestellt, die die Vorteile von Konfigurationen mit gebundenen und unabhängigen Gates nutzen. SRAM-Leistung, -Leistung und -Stabilität von FinFET-Bauelementen werden mit herkömmlichen planaren CMOS-Pendants verglichen. Die Modellierung der Variabilität von FinFETs durch Statistiken wird ebenfalls vorgestellt. Der MOSFET-Baustein wurde sowohl mit Polysilizium als auch mit Molybdän als Gatematerial verglichen, und der FinFET-Baustein wurde mit verschiedenen Gatematerialien wie Gold, Wolfram, Tantal und Molybdän entworfen, und die Ergebnisse wurden mit den Bausteinen mit Polysilizium-Gatematerial verglichen.
About the author
M. Manikandan promoviert derzeit im Bereich der Photonik an der Karunya University, Coimbatore. Er hat 11 Forschungsartikel in internationalen Zeitschriften, einschließlich SCI-Zeitschriften, und 3 Forschungsartikel in internationalen nationalen Konferenzen veröffentlicht. Derzeit arbeitet er am KPR Institute of Engineering & Technology, Coimbatore.
