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Questo libro descrive il concetto di progettazione di SRAM nelle tecnologie FinFET utilizzando le caratteristiche uniche dei dispositivi a doppia griglia non planari. Viene esplorato lo spazio dei parametri richiesto per la progettazione dei FinFET. Verranno presentate diverse tecniche di progettazione di SRAM che sfruttano i vantaggi delle configurazioni a gate vincolato e a gate indipendente. Le prestazioni, la potenza e la stabilità delle SRAM per i dispositivi FinFET sono confrontate con le controparti CMOS planari convenzionali. Verrà inoltre presentata la modellazione della variabilità dei FinFET attraverso le statistiche. Il dispositivo MOSFET è stato confrontato sia con il poli-silicio che con il molibdeno come materiale di gate e il dispositivo FinFET è stato progettato con diversi materiali di gate come oro, tungsteno, tantalio e molibdeno e i risultati sono stati confrontati con i dispositivi con materiale di gate in poli-silicio.
About the author
M. Manikandan promoviert derzeit im Bereich der Photonik an der Karunya University, Coimbatore. Er hat 11 Forschungsartikel in internationalen Zeitschriften, einschließlich SCI-Zeitschriften, und 3 Forschungsartikel in internationalen nationalen Konferenzen veröffentlicht. Derzeit arbeitet er am KPR Institute of Engineering & Technology, Coimbatore.
