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I semiconduttori composti II-VI sono di grande importanza per la loro applicazione in vari dispositivi elettro-ottici. I film sottili di ZnS trovano molte altre applicazioni nell'ambito della fabbricazione di dispositivi optoelettronici, come diodi a emissione di luce UV, diodi a emissione di luce blu, schermi piatti emissivi, dispositivi elettroluminescenti e rivestimento antiriflesso nella tecnologia delle celle solari. Per preparare i film sottili di ZnS sono stati utilizzati diversi metodi. Abbiamo depositato film di ZnS con il metodo della deposizione in bagno chimico, utilizzando l'idrossido di sodio come agente complessante. Le caratteristiche strutturali e morfologiche dei film sono state studiate mediante diffrazione di raggi X (XRD) e microscopio elettronico a scansione. La XRD mostra che il film depositato è di natura policristallina con struttura cubica. La dimensione dei grani è stimata nell'intervallo 35-70 nm. La cristallinità del film di ZnS è stata analizzata mediante HRTEM con l'aiuto del modello di diffrazione elettronica. I film mostrano buone proprietà ottiche con un'elevata trasmittanza nella regione del visibile e il valore di band gap è risultato pari a 3,3 eV - 2,1 eV. I film di ZnS possono essere utilizzati come strati tampone sulle celle solari CdTe.
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A. Arunkumar est actuellement professeur assistant principal à l'Aurora's Scientific Technological and Research Academy, Chandrayangutta, Hyderabad, Telangana 500005. Il a deux ans d'expérience dans l'enseignement et sept ans d'expérience dans la recherche.
