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Los semiconductores compuestos II-VI son de gran importancia debido a su aplicación en diversos dispositivos electroópticos. Las películas delgadas de ZnS encuentran muchas más aplicaciones en el área de la fabricación de dispositivos optoelectrónicos como diodos emisores de luz ultravioleta, diodos emisores de luz azul, pantallas planas emisivas, dispositivos electroluminiscentes y revestimiento antirreflectante en la tecnología de células solares. Se han utilizado varios métodos para preparar películas finas de ZnS. Nosotros hemos depositado películas de ZnS por el método de deposición en baño químico utilizando hidróxido sódico como agente complejante. Las características estructurales y morfológicas de las películas se han investigado mediante difracción de rayos X (DRX) y microscopio electrónico de barrido. La DRX muestra que la película depositada era de naturaleza policristalina con estructura cúbica. El tamaño de grano se estima en el rango de 35-70 nm. La cristalinidad de la película de ZnS se analizó mediante HRTEM con la ayuda del patrón de difracción de electrones. Las películas muestran buenas propiedades ópticas con alta transmitancia en la región visible y el valor de la banda de separación se encontró 3,3 eV - 2,1 eV. Las películas de ZnS pueden utilizarse como capas tampón en células solares de CdTe.
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A. Arunkumar est actuellement professeur assistant principal à l'Aurora's Scientific Technological and Research Academy, Chandrayangutta, Hyderabad, Telangana 500005. Il a deux ans d'expérience dans l'enseignement et sept ans d'expérience dans la recherche.
