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I progressi nella tecnologia di fabbricazione ad alto coefficiente k hanno consentito enormi progressi nel settore della microelettronica, migliorando le prestazioni dei singoli transistor e consentendo l'integrazione di un maggior numero di transistor in un chip. Negli anni a venire, il MOS ad alto coefficiente k potrebbe cambiare gli scenari della produzione di transistor di piccole dimensioni. Per questo motivo, gli studi su questo dispositivo dovrebbero proseguire con un'intensa attività di sperimentazione. L'impatto del dielettrico high-k (TiO2) è stato osservato anche sul transistor NMOS. La corrente di dispersione sotto soglia è diminuita con l'aumento della tensione di soglia; ciò riduce il consumo di energia e migliora le prestazioni del transistor NMOS. La riduzione della perdita di gate e dell'oscillazione sotto soglia fa sì che la struttura NMOS ad alto coefficiente di k sia una valida alternativa per i futuri dispositivi MOS su scala nanometrica. Dall'analisi si può anche concludere che, con il ridimensionamento dei dispositivi, la tensione di soglia diminuisce.
About the author
La Dra. Puja Acharya es profesora adjunta en la Universidad K. R. Mangalam. Ella ha hecho B.Tech, M.Tech y Ph.D (Antena Diseño) en Electrónica e Ingeniería de Comunicaciones con más de 15 años de experiencia docente. sus áreas de interés en la robótica integrada, comunicación óptica, Antena Diseño y Micro Electrónica.
