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Dynamischer Direktzugriffsspeicher (DRAM) ist eine Art von Computerspeicher, der für seine strukturelle Einfachheit bekannt ist: Er besteht aus nur einem Transistor und einem Kondensator pro Bit. Diese Kondensatoren speichern Daten als elektrische Ladungen, was DRAM in Bezug auf Platz und Kosten sehr effizient macht. Aufgrund seines dynamischen Charakters ist jedoch eine regelmäßige Auffrischung erforderlich, um Datenverluste aufgrund von Kondensatorlecks zu vermeiden, wodurch er sich von statischen Speichern wie SRAM unterscheidet. Ein bedeutender Fortschritt in der DRAM-Technologie ist das 3T-1D-Design, das den Bedarf an externen Kondensatoren eliminiert und Vorteile in Bezug auf Skalierbarkeit, Prozesskomplexität und Kompatibilität mit logischen Verarbeitungsschritten bietet. Trotz der inhärenten Probleme ist DRAM aufgrund seiner hohen Dichte und Kosteneffizienz nach wie vor eine wichtige Komponente in modernen Computersystemen.
About the author
Dr. Yogesh Thakare erhielt 2020 seinen Doktortitel in Elektronik und Telekommunikation von der Sant Gadge Baba Amravati University, Amravati, Indien. Er arbeitet derzeit als Assistenzprofessor am Shri Ramdeobaba College of Engineering and Management, Nagpur, Maharashtra, Indien.
