Bauelemente der Halbleiter-Elektronik

zur Buchreihe "Halbleiter.Elektronik" Halbleiter-Bauelemente beherrschen heute einen groBen Teil der Elektro technik. Dies auBert sich einerseits in der groBen Vielfalt neuartiger Bauelemente und andererseits in Milliarden von jahrlich gefertigten Transistoren mit einer Zuwachsrate von ca. 20% pro Jahr. Ihre beson del'en physikalischen und funktioneIlen Eigenschaften haben komplexe elektronische Systeme z.E. in del' Datenvel'arbeitung und der Nach richtentechnik ermoglicht. Dieser Fortschritt konnte nur erreicht werden durch das Zusammenwirken physikalischer Grundlagenforschung und elektl'otechnischer Entwicklung. Urn mit dieserVielfalt erfolgl'eich al'beiten zu konnen und auch zu kiinftigen Anforderungen gewachsen zu sein, muB nicht nur der Ent wickler von Bauelementen, sondern auch der Schaltungstechnikel' das von physikalischen Grundlagenkenntnissen bis zu den bl'eite Spektrum durch die Anwendung geforderten Funktionscharakteristiken der Bau elemente behel'rschen. Dieser engen Verkniipfung zwischen physikalischer Wirkungsweise und elektrotechnischer Zielsetzung solI die hier vorliegende Buchreihe "Halbleiter-Elektronik" Rechnung tragen. Sie beschreibt die Halbleiter Bauelemente (Dioden, Transistoren, Thyristoren usw.) in ihl'el' physi kalischen Wirkungsweise, in ihrel' Herstellung und in ihren elektro technischen Daten. Die ersten beiden Bande sind als Einfiihrung gedacht, wo bei Band 1 die physikalischen Grundlagen del' Halbleiter dal'bietet und die entspre chenden Begriffe definiel't und erklart. Band 2 behandelt die heute technisch bedeutsamen Halbleiterbauelemente in einfachster Form. Er ganzt werden diese beiden Bande durch die Bande 3 und 4, die einerseits eine vertiefte Beschreibung del' Biinderstruktur und del' Transport phanomene in Halbleitern und andererseits eine Einfiihrung in die tech nologischen Grundverfahren zur Hel'steIlung diesel' Halbleiter bieten.

List of contents

Physikalische Größen.- 1 Dioden.- 1.1 Kennlinie und Impedanz.- 1.2 Schaltverhalten.- 1.3 Rauschen.- 1.4 Ausführungsformen von Gleichrichterdioden.- 1.5 pin-Diode.- 1.6 p+sn+-Leistungsgleichrichter.- 1.7 Zener-Diode.- 1.8 Rückwärts-Diode.- 1.9 Tunneldiode.- 1.10 Varaktordiode (Speicherdiode, MIS-Diode).- 1.11 Metall-Halbleiter-Kontakt (Schottky-Diode, Ohmscher Kontakt).- 1.12 Fotodiode und Solarzelle.- 1.13 Lumineszenz- und Laserdiode.- 1.14 Impatt-Diode.- 1.15 Gunn- und LSA-Diode.- Übungen.- 2 Injektionstransistoren.- 2.1 Aufbau und Wirkungsweise.- 2.2 Emitter- und Kollektorstrom.- 2.3 Basisstrom.- 2.4 Grundschaltungen.- 2.5 Kennlinienfelder.- 2.6 Kleinsignal-Ersatzschaltbilder.- 2.6.1 Einfaches Niederfrequenz-Ersatzschaltbild.- 2.6.2 Ladungsspeicherung in der Basis.- 2.6.3 Basisweitenmodulation.- 2.6.4 Basiswiderstand.- 2.6.5 Ersatzschaltbild für Emitterschaltung.- 2.6.6 Ersatzschaltbilder für Basis- und Kollektorschaltung.- 2.6.7 Grenzfrequenzen.- 2.6.8 Abhängigkeit der Stromverstärkung vom Arbeitspunkt.- 2.6.9 Vierpolparameter.- 2.6.10 Vergleich der drei Grundschaltungsarten.- 2.7 Großsignalverhalten.- 2.7.1 Niederfrequenz-Ersatzschaltbild.- 2.7.2 Arbeitsbereiche.- 2.7.3 Schaltverhalten.- 2.8 Grenzdaten.- 2.9 Thermische Stabilität.- 2.10 Rauschen.- 2.11 Fototransistor.- Übungen.- 3 Feldeffekttransistoren.- 3.1 Einführung.- 3.2 Wirkungsweise des Sperrschicht-FET (JFET, junction FET).- 3.3 Ausführungsformen des Sperrschicht-FET.- 3.4 Wirkungsweise und Betriebsarten des MIS-FET.- 3.4.1 MOS-FET-Verarmungsbetrieb.- 3.4.2 MOS-FET-Anreicherungsbetrieb.- 3.4.3 Symbole für MOS-FET.- 3.4.4 Daten und Kennlinien von MOS-FET.- 3.5 Ausführungsformen von MIS-FET.- 3.6 Theorie der Ladungssteuerung.- 3.7 Kleinsignalverhalten.- 3.8 Grundschaltungsarten von Kleinsignalverstärkern.- 3.9 Grenzfrequenz.- 3.10 Rauschen.- 3.11 Vergleich mit bipolaren Transistoren.- Übungen.- 4 Thyristoren.- 4.1 Kennlinienäste.- 4.2 Zündvorgang (Löschvorgang).- 4.3 Statische Eigenschaften des Hauptstromkreises.- 4.4 Zündstromkreis.- 4.5 Dynamische Eigenschaften.- 4.5.1 Zündung durch raschen Lastspannungsanstieg; du/dt-Verhalten.- 4.5.2 Einschaltverhalten.- 4.5.3 Ausschaltverhalten.- 4.5.4 Freiwerdezeit.- 4.6 Aufbau des Thyristors.- 4.7 Triac (Zweiwegthyristor).- 4.8 Vergleich Transistor, Thyristor, Triac.- Übungen.- 5 Spezielle Halbleiter-Bauelemente.- 5.1 Hall-Generator.- 5.2 Feldplatte.- 5.3 Fotowiderstand.- 5.4 Dehnungsmeßstreifen.- 5.5 Heißleiter (NTC-Widerstand).- 5.6 Kaltleiter (PTC-Widerstand).- 5.7 Thermoelektrischer Energiewandler.- 5.8 Thermoelektrischer Kühler.- 6 Anhang.- 6.1 Rauschen.- 6.2 Influenzstrom.- 6.3 Laserprinzip.- 6.4 Quasi-Fermi-Niveaus.

Product details

• Authors: Rudolf Müller
• Publisher: Springer, Berlin
• Languages: German
• Product format: Paperback / Softback
• Released: 01.01.1973
• EAN: 9783540062240
• ISBN: 978-3-540-06224-0
• No. of pages: 226
• Weight: 410 g
• Illustrations: 226 S.
• Series: Halbleiter-Elektronik
• Subject: Natural sciences, medicine, IT, technology > Technology