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La technologie se réduit à une vitesse significative ; le principal défi consiste à concevoir un amplificateur différentiel dans une technologie à l'échelle nanométrique avec les meilleurs paramètres de performance. La technologie MOSFET est en train de se réduire pour répondre aux exigences de performance, de coût et de puissance des applications à haut débit à venir. La mise à l'échelle des MOSFET conventionnels peut s'avérer difficile au-delà du noeud technologique en raison d'effets de canaux courts incontrôlables et d'une variation excessive de la tension de seuil. C'est pourquoi de nouvelles structures de transistors ont été étudiées afin de poursuivre la mise à l'échelle. Le CNFET et le FinFET ont un grand potentiel pour remplacer la technologie MOSFET existante à l'avenir. En tant que nouveau dispositif prometteur, le CNFET élimine la plupart des limitations fondamentales des dispositifs en silicium traditionnels. Le FinFET est le choix le plus intéressant parmi les architectures de transistors à double grille en raison de l'auto-alignement des deux grilles et de la similitude des étapes de fabrication avec la technologie MOSFET standard existante.
About the author
Sr. Aniket U.VikheDept. de ECE, Om Parkash Jogender Singh University, Churu (Raj.) y Profesor Asistente, Dept. de E & TC, Dr.VithalraoVikhe Patil College of Engineering, Ahmednagar (Maharashtra).IndiaDr. Suman RaniProfesor Asociado, Departamento de ECE, Universidad Om Parkash Jogender Singh, Churu (Raj.) India
