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La tecnología se está reduciendo a un ritmo considerable; el mayor reto es diseñar amplificadores diferenciales en tecnología de nanoescala con los mejores parámetros de rendimiento. La tecnología MOSFET se está reduciendo para satisfacer los requisitos de rendimiento, coste y potencia de las próximas aplicaciones de alto rendimiento. El escalado de los MOSFET convencionales puede resultar difícil más allá del nodo tecnológico debido a los incontrolables efectos de canal corto y a la excesiva variación del voltaje umbral. Por lo tanto, se han investigado nuevas estructuras de transistores para mantener un escalado continuo. Los CNFET y los FinFET tienen un gran potencial para sustituir en el futuro a la actual tecnología MOSFET. CNFET, uno de los nuevos dispositivos más prometedores, elimina la mayoría de las limitaciones fundamentales de los dispositivos tradicionales de silicio. FinFET es la opción más atractiva entre las arquitecturas de transistores de doble puerta debido a la autoalineación de las dos puertas y a la similitud de los pasos de fabricación con la tecnología MOSFET estándar existente.
About the author
Sr. Aniket U.VikheDept. de ECE, Om Parkash Jogender Singh University, Churu (Raj.) y Profesor Asistente, Dept. de E & TC, Dr.VithalraoVikhe Patil College of Engineering, Ahmednagar (Maharashtra).IndiaDr. Suman RaniProfesor Asociado, Departamento de ECE, Universidad Om Parkash Jogender Singh, Churu (Raj.) India
