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La tecnologia si sta riducendo in modo significativo; la sfida principale consiste nel progettare amplificatori differenziali in tecnologia nanometrica con i migliori parametri di prestazione. La tecnologia MOSFET si sta riducendo per soddisfare i requisiti di prestazioni, costo e potenza delle prossime applicazioni ad alto rendimento. La scalabilità dei MOSFET convenzionali può risultare difficile oltre il nodo tecnologico a causa di effetti incontrollabili di corto canale e di un'eccessiva variazione della tensione di soglia. Per questo motivo, sono state studiate nuove strutture di transistor per sostenere una scalabilità continua. I CNFET e i FinFET hanno un grande potenziale per sostituire in futuro l'attuale tecnologia dei MOSFET bulk. Come uno dei nuovi dispositivi più promettenti, il CNFET elimina la maggior parte delle limitazioni fondamentali dei dispositivi al silicio tradizionali. Il FinFET è la scelta più interessante tra le architetture di transistor a doppia porta, grazie all'autoallineamento delle due porte e alla somiglianza delle fasi di fabbricazione con l'attuale tecnologia MOSFET standard.
About the author
M. Aniket U.VikheDept. of ECE, Om Parkash Jogender Singh University, Churu (Raj.) and Assistant Professor, Dept. of E & TC, Dr.VithalraoVikhe Patil College of Engineering, Ahmednagar (Maharashtra).IndiaDr. Suman RaniProfesseur associé, Département ECE, Université Om Parkash Jogender Singh, Churu (Raj.) Inde
