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Die Technologie wird immer kleiner; die größte Herausforderung besteht darin, Differenzverstärker in Nanotechnologie mit den besten Leistungsparametern zu entwickeln. Die MOSFET-Technologie wird verkleinert, um die Leistungs-, Kosten- und Energieanforderungen der kommenden Anwendungen mit hohem Durchsatz zu erfüllen. Die Skalierung herkömmlicher MOSFETs kann aufgrund unkontrollierbarer Kurzkanaleffekte und übermäßiger Schwellenspannungsschwankungen schwierig sein, wenn der Technologieknoten weiter entfernt ist. Daher wurden neuartige Transistorstrukturen untersucht, um eine weitere Skalierung zu ermöglichen. CNFET und FinFET haben ein großes Potenzial, die bestehende Bulk-MOSFET-Technologie in Zukunft zu ersetzen. Als eines der vielversprechenden neuen Bauelemente beseitigt der CNFET die meisten der grundlegenden Beschränkungen herkömmlicher Silizium-Bauelemente. FinFET ist die attraktivste Wahl unter den Doppel-Gate-Transistorarchitekturen, da sich die beiden Gates selbst ausrichten und die Herstellungsschritte denen der bestehenden Standard-MOSFET-Technologie ähneln.
About the author
M. Aniket U.VikheDept. of ECE, Om Parkash Jogender Singh University, Churu (Raj.) and Assistant Professor, Dept. of E & TC, Dr.VithalraoVikhe Patil College of Engineering, Ahmednagar (Maharashtra).IndiaDr. Suman RaniProfesseur associé, Département ECE, Université Om Parkash Jogender Singh, Churu (Raj.) Inde
