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Les semi-conducteurs à base de nitrures III, notamment les matériaux à base de GaN, y compris le GaN binaire et les alliages connexes avec l'InN et l'AlN, tels que l'AlGaN et l'InGaN ternaires ainsi que l'InAlGaN quaternaire, ont fait l'objet de recherches intensives ces dernières années en raison de leurs applications potentielles dans les dispositifs optoélectroniques fonctionnant dans la gamme spectrale des courtes longueurs d'onde et dans les dispositifs électroniques à haute puissance et à haute température. Les matériaux à base de GaN sont également idéaux pour la fabrication de détecteurs UV très réactifs et aveugles dans le visible en raison de leurs propriétés uniques qui englobent une bande interdite large et directe, des coefficients d'absorption élevés et une coupure nette de la longueur d'onde de détection. La tension de claquage élevée et la vitesse de saturation élevée permettent également l'utilisation de matériaux à base de GaN pour le fonctionnement de dispositifs à grande vitesse et les applications à haute puissance, comme les amplificateurs de puissance pour les stations de base sans fil, les amplificateurs à faible bruit et les commutateurs à haute puissance. Les dispositifs de détection constituent une autre application importante des matériaux à base de GaN, notamment dans les environnements difficiles, en raison de la grande stabilité thermique et chimique de ces matériaux.
About the author
Dr. Mansour S. Farhan, Professor am College of Engineering/Wasit University. Dr. Hasan F. Khazaal, Assistenzprofessor am College of Engineering/Wasit University, hat Erfahrung in der Herstellung von Dünnschichten für optoelektronische Geräte. Er hat Erfahrung in der Herstellung und Abstimmung von Mikrowellenschaltungen und in der Bildungstechnologie.
