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I dielettrici ad alta permittività e i substrati adatti sono oggetto di studi intensivi in vista del loro utilizzo nella progettazione VLSI. Per le future applicazioni dei MOSFET è stato studiato a fondo un nuovo materiale dielettrico di gate misto ad alta permettività, ossia l'ossido di tantalio drogato con zirconio (TaOx drogato con Zr) e l'ossido di tantalio drogato con afnio (TaOx drogato con Hf). La deposizione di un nuovo dielettrico di gate ad alto valore k mediante miscelazione di Ta2O5 con ZrO2 e HfO2 con la tecnica del co-sputtering, per raggiungere i requisiti di stabilità termodinamica, elevato intervallo di temperatura di transizione amorfo-cristallina, ampio band gap elettrico e ampia barriera a banda di energia con il Si per l'era ULSI. Sono stati condotti studi approfonditi sul processo di fabbricazione e sulle caratteristiche dei dispositivi. Questo libro è quindi utile ai lettori per conoscere alcuni aspetti significativi dei materiali dielettrici misti ad alto coefficiente k per i dispositivi ad alta frequenza.
About the author
Dr. S.V. Jagadeesh Chandra, Professeur, Dept of ECE, LBRCE,Mylavaram. Il a publié 2 livres et 35 articles scientifiques dans des revues de référence. M. Kumar, Université Sungkyunkwan, Corée du Sud. Il a publié 02 articles internationaux. Dr.CH.V.V.Ramana, Université de Johannesburg, Afrique du Sud. Il a publié 05 livres, 01 chapitre de livre et 44 articles scientifiques.
