Análisis del rendimiento de diferentes estructuras de celdas DRAM basadas en CMOS - Estructura de la célula DRAM

Las memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) se utilizan ampliamente en todo tipo dedispositivos electrónicos debido a su bajo coste y rápida velocidad de funcionamiento. Además de sus extensas aplicaciones,la producción en masa de DRAMsuele marcar la madurez de latecnologíade semiconductores correspondiente, que se ve continuamente impulsada hacia dimensiones más pequeñas y un alto rendimiento por las exigencias del mercadoy la competencia. En general, la producción en masa de una nueva generación deDRAMsuele considerarse el hito de una nueva era de la tecnología de semiconductores.Como indicael término "DRAM", se trata de un tipo de memoria volátil, es decir, los datos almacenados tienen que refrescarse "dinámicamente"para garantizar el correcto funcionamiento de la memoria; se puede acceder a cada bit de la DRAM"aleatoriamente" en comparación con una grabadora convencional.

About the author

El Dr. Prateek Asthana trabaja como profesor asistente en el Instituto Bharat de Ingeniería y Tecnología, Hyderabad. El Dr. Akhilesh Kumar trabaja como profesor asistente en la Universidad de Chitkara, Punjab. El Dr. Arunava Poddar trabaja como profesor asistente en la Universidad de Shoolini, Solan. Los autores han publicado más de 50 publicaciones de investigación.

Product details

• Authors: Prateek Asthana, Akhilesh Kumar, Arunava Poddar
• Publisher: Ediciones Nuestro Conocimiento
• Languages: Spanish
• Product format: Paperback / Softback
• Released: 14.07.2021
• EAN: 9786203934342
• ISBN: 978-620-3-93434-2
• No. of pages: 56
• Dimensions: 150 mm x 220 mm x 4 mm
• Weight: 102 g
• Subject: Natural sciences, medicine, IT, technology > Technology > Electronics, electrical engineering, communications engineering