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Se ha realizado el cálculo computacional de los perfiles de pérdida de energía y de daños cuando se implantan los iones de galio y arsénico independientemente en el germanio amorfo durante la implantación de los iones. Las energías necesarias para el dopaje del ión galio y del ión arsénico en el germanio, con el fin de obtener el máximo daño a 600 Å, se calcularon utilizando el SRIM. Estas energías, cuando se implantan independientemente en el germanio, causan la producción de retrocesos de germanio, pares vacantes-intersticiales y fonones durante el proceso de colisión. Para el ión galio de 130 keV, la energía utilizada para la ionización, la producción de fonos y la creación de vacantes es de 37.713 keV (29,01%), 90.006 keV (64,29%) y 8,71 keV (6,7%) respectivamente, mientras que para el ión arsénico de 140 keV, el consumo de energía para la ionización, la producción de fonos y la creación de vacantes es de 39.634 keV (28,31%), 90.888 keV (64,92%) y 9.478 keV (6,77%) respectivamente. También se evalúa la cantidad de desplazamiento del objetivo, las colisiones de reemplazo y las vacantes.
About the author
Karan Giri is betrokken geweest bij het onderzoek in de natuurkunde. Hij heeft drie artikelen gepubliceerd in drie verschillende online tijdschriften en een aantal artikelen is in behandeling. Bovendien heeft hij een groot enthousiasme voor het schrijven van natuurkundeboeken. Hij heeft gewerkt aan het schrijven van een natuurkundeboek voor middelbare scholieren.
