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Es wurde eine rechnerische Berechnung der Energieverlust- und Schädigungsprofile bei der unabhängigen Implantation von Gallium- und Arsen-Ionen auf amorphes Germanium während der Ionenimplantation durchgeführt. Die erforderlichen Energien für die Dotierung von Gallium-Ion und Arsen-Ion auf Germanium, um maximale Schäden bei 600 Å zu erreichen, wurden mit SRIM berechnet. Diese Energien führen, wenn sie unabhängig voneinander auf Germanium implantiert werden, während des Kollisionsprozesses zur Erzeugung von Germanium-Rückstoßimpulsen, Leerraum-Zwischengitterpaaren und Phononen. Bei 130 keV Galliumion beträgt die für die Ionisierung, Phon-Erzeugung und Vakanzerzeugung verwendete Energie 37.713 keV (29,01%), 90.006 keV (64,29%) bzw. 8.71 keV (6,7%), während bei 140 keV Arsenion der Energieverbrauch für Ionisierung, Phon-Erzeugung und Vakanzerzeugung 39.634 keV (28,31%), 90.888 keV (64,92%) bzw. 9.478 keV (6,77%) beträgt. Das Ausmaß der Zielverschiebungen, Ersatzkollisionen und Leerstände werden ebenfalls bewertet.
About the author
Karan Giri is betrokken geweest bij het onderzoek in de natuurkunde. Hij heeft drie artikelen gepubliceerd in drie verschillende online tijdschriften en een aantal artikelen is in behandeling. Bovendien heeft hij een groot enthousiasme voor het schrijven van natuurkundeboeken. Hij heeft gewerkt aan het schrijven van een natuurkundeboek voor middelbare scholieren.
