Read more
Er is een rekenkundige berekening gemaakt van het energieverlies en de schadeprofielen bij de implantatie van gallium- en arseenionen onafhankelijk van elkaar op amorf germanium tijdens de ionenimplantatie. De benodigde energieën voor doping van galliumion en arseenion op germanium, om maximale schade bij 600 Å te verkrijgen, werden berekend met behulp van SRIM. Deze energieën, wanneer ze onafhankelijk van elkaar op germanium worden geïmplanteerd, veroorzaken de productie van germaniumterugslagen, vacature-interstitiële paren en telefoons tijdens het botsingsproces. Voor 130 keV galliumionen is de energie die gebruikt wordt voor ionisatie, telefoonproductie en vacaturecreatie respectievelijk 37.713 keV (29,01%), 90.006 keV (64,29%) en 8.71 keV (6,7%), terwijl voor 140 keV arseenion het energieverbruik voor ionisatie, telefoonproductie en vacaturecreatie respectievelijk 39.634 keV (28,31%), 90.888 keV (64,92%) en 9.478 keV (6,77%) bedraagt. Ook de hoeveelheid doelverplaatsingen, vervangingsaanrijdingen en vacatures worden geëvalueerd.
About the author
Karan Giri is betrokken geweest bij het onderzoek in de natuurkunde. Hij heeft drie artikelen gepubliceerd in drie verschillende online tijdschriften en een aantal artikelen is in behandeling. Bovendien heeft hij een groot enthousiasme voor het schrijven van natuurkundeboeken. Hij heeft gewerkt aan het schrijven van een natuurkundeboek voor middelbare scholieren.
