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È stato effettuato il calcolo computazionale dei profili di perdita di energia e di danno quando impiantato da ioni gallio e arsenico in modo indipendente su germanio amorfo durante l'impianto ionico. Le energie necessarie per il doping dello ione gallio e dello ione arsenico sul germanio, al fine di ottenere il massimo danno a 600 Å, sono state calcolate utilizzando SRIM. Queste energie, se impiantate indipendentemente sul germanio, causano la produzione di rinculo del germanio, di coppie interstiziali vuote e di fononi durante il processo di collisione. Per lo ione gallio 130 keV, l'energia utilizzata per la ionizzazione, la produzione di phon e la creazione di posti vacanti sono rispettivamente 37.713 keV (29,01%), 90.006 keV (64,29%) e 8.71 keV (6,7%), mentre, per lo ione arsenico 140 keV, il consumo di energia per la ionizzazione, la produzione di phon e la creazione di posti vacanti sono rispettivamente 39.634 keV (28,31%), 90.888 keV (64,92%) e 9.478 keV (6,77%). Si valuta anche la quantità di spostamento dell'obiettivo, le collisioni di sostituzione e i posti vacanti.
About the author
Karan Giri is betrokken geweest bij het onderzoek in de natuurkunde. Hij heeft drie artikelen gepubliceerd in drie verschillende online tijdschriften en een aantal artikelen is in behandeling. Bovendien heeft hij een groot enthousiasme voor het schrijven van natuurkundeboeken. Hij heeft gewerkt aan het schrijven van een natuurkundeboek voor middelbare scholieren.
