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Il presente lavoro è dedicato all'analisi termodinamica dei processi fisico-chimici di crescita degli strati epitassiali del composto semiconduttore Ga2Se3 dalla fase gassosa nel sistema di flusso Ga - Se - Cl - H e alla modellazione dei processi tecnologici per la previsione di possibili varianti tecnologiche e la determinazione delle condizioni ottimali per la sintesi di questo composto. Sono riportati i risultati delle ricerche sulla definizione e sul calcolo dei parametri termodinamici delle singole sostanze del sistema Ga - Se - Cl - H, per il loro utilizzo nella modellazione termodinamica dei processi di crescita degli strati epitassiali di Ga2Se3 da una fase gassosa. Viene studiata la connessione tra variabili termodinamiche e parametri tecnologici del processo di sintesi del Ga2Se3 in reattore di tipo aperto con sorgenti separate di gallio e selenio. Viene illustrato lo schema di calcolo dei parametri tecnologici del processo di crescita degli strati epitassiali crescenti di Ga2Se3 nel sistema di trasporto dei gas di flusso con sorgenti separate di gallio e selenio.
About the author
Rahman Agamirza oglu Bakhyshov was born in Azerbaijan in 1950. I graduated from Azerbaijan Pedagogical Institute with a degree in physics in 1971. In 1989, he defended his PhD thesis on semiconductor and dielectric physics. Currently I work at the National Aviation Academy as an associate professor of the Higher Mathematics Department.
