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Dans ce travail on présente la généralité sur les phénomènes de transport dans les semi-conducteurs dopés, par la suite on expose les mécanismes de conduction des deux côtés de la TMI et on détaille l¿étude théorique de la magnétorésistance positive et négative de deux côtés de la transition métal- isolant. On a présenté l¿expression analytique de la magnétorésistance positive dans le régime de conduction par saut à distance variable en champ fort et en champ faible, Nous avons cité les différents modèles qui décrivent l¿origine de la magnétorésistance négative dans les semiconducteurs situés du côté isolant de la transition métal-isolant. Des interprétations physiques basées sur les modèles de la localisation faible, des interactions électron-électron et de l¿effet Zeeman seront apportées pour expliquer la magnétorésistance négative à champ faible et positive à champ fort. Finalement, une étude des phénomènes de transport dans les échantillons métalliques suivants : GaAs et GeSb a été réalisé, en utilisant la formule qui exprime la conductivité dans le régime métallique et les différents modèles qui permettent d¿étudier le comportement du coefficient de de la variation thermique.
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Sybous Abdelghani,Docteur, Chef de la Division à l¿ABHSHOD.
