Elaboration et caractérisation des dépôts aluminium sur silicium

Dans ce travail nous nous sommes intéressés à la croissance et la diffusion superficielle de l'Aluminium sur un substrat de Silicium (400). Ce travail comporte deux parties : La première partie consiste à réaliser sous-vide et à température ambiante des dépôts de différentes épaisseurs d = 240, 510, 720, 870 et 1050 A°. Ces dépôts ont été analysés quantitativement par DRX. L'Aluminium semble croisse sur le silicium selon le mode de Frank-van Der Merwe. La deuxième partie de notre travail est consacrée à l'étude de l'effet de la température de recuit sur la morphologie des dépôts réalisés à température ambiante. Les températures de recuits sont : 100,150, 200, 250, 300, 350 et 400C°. D'après les résultats d'analyse par DRX des dépôts traités, les îlots (2D) d'Aluminium formés à température ambiante se transforment en augmentant la température de recuit, en îlots (3D) plus hauts et plus ramenés.

About the author

L'auteur détient un Magister en physique des matériaux option physique des semi-conducteurs de l'université de Jijel.

Product details

• Authors: Fayssa Boufelgha, Fayssal Boufelgha, Nour-Eddine Boutaoui
• Publisher: Éditions universitaires européennes
• Languages: French
• Product format: Paperback / Softback
• Released: 24.06.2019
• EAN: 9783841669414
• ISBN: 978-3-8416-6941-4
• No. of pages: 96
• Dimensions: 150 mm x 220 mm x 6 mm
• Weight: 162 g
• Subject: Natural sciences, medicine, IT, technology > Physics, astronomy > Electricity, magnetism, optics