Hybrid-Gasphasenepitaxie zur Herstellung von Aluminiumgalliumnitrid

Diese Arbeit zeigt, wie die epitaktische Abscheidung von AlGaN-Schichten im gesamten Kompositionsbereich mittels Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) realisiert wird.
Die Optimierung eines für die Abscheidung verwendeten Quarzglasreaktors und das AlGaN-Wachstum durch ein quasi-thermodynamisches Modell werden detailliert beschrieben. Eine entscheidende Verbesserung der AlGaN-Materialqualität wird durch das Verfahren des epitaktisch lateralen Überwachsens strukturierter Substrate sowie durch Parameterstudien zum Substratfehlschnitt, Gesamtdruck und V/III-Verhältnis erreicht.
Die Untersuchung struktureller und optischer Eigenschaften des abgeschiedenen Materials zeigt, dass die HVPE ein geeignetes Verfahren ist, um dicke, einheitlich orientierte, transparente AlGaN-Schichten herzustellen.

Product details

• Authors: Sylvia Hagedorn
• Publisher: Cuvillier Verlag
• Languages: German
• Product format: Paperback / Softback
• Released: 31.08.2018
• No. of pages: 167
• Dimensions: 148 mm x 210 mm x 9 mm
• Weight: 236 g
• Subject: Natural sciences, medicine, IT, technology > Physics, astronomy > Electricity, magnetism, optics