Elaboration des nitrures de - Gallium avec traitement si

Le traitement Si/N, lors de l'élaboration du GaN à haute température et à pression atmosphérique par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMétalliques (EPVOM), améliore nettement la qualité morphologique, électrique, structurale et optique. Le mode de croissance observé est un passage de 3D à 2D au cours de l'épaississement de la couche de GaN. Par la suite un dopage de type p et n dans GaN est réalisé en utilisant respectivement le magnésium et le silicium, conduisant ainsi à une homojonction p/n pour fabriquer une diode électroluminescente bleue. Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectuée.

About the author

Docteur en physique des matériaux semi-conducteurs. Elle a soutenu sa thèse de doctorat en 2006 à l'université ElManar II de Tunis. Elle enseigne à la faculté des sciences de Monastir-Tunisie. Ses travaux de recherche se focalisent sur l'élaboration des semi-conducteurs III-V appliqués aux dispositifs optoélectroniques.

Product details

• Authors: Zohra Benzarti, Benzarti-Z
• Publisher: Omniscriptum
• Languages: French
• Product format: Undefined
• Released: 19.10.2011
• EAN: 9786131597275
• ISBN: 9786131597275
• Series: Omn.Univ.Europ.
• Subjects: Humanities, art, music > Linguistics and literary studies > General and comparative literary studies; Natural sciences, medicine, IT, technology > Physics, astronomy > Miscellaneous