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Le calcul des profils de perte d'énergie et de dommages lors de l'implantation d'ions de gallium et d'arsenic indépendamment sur du germanium amorphe a été effectué. Les énergies nécessaires pour le dopage de l'ion gallium et de l'ion arsenic sur le germanium, afin d'obtenir un dommage maximal à 600 Å, ont été calculées à l'aide du SRIM. Ces énergies, lorsqu'elles sont implantées indépendamment sur le germanium, provoquent la production de reculs du germanium, de paires vacance-interstitielle et de phonons lors du processus de collision. Pour l'ion gallium à 130 keV, l'énergie utilisée pour l'ionisation, la production de phon et la création de postes vacants est respectivement de 37 713 keV (29,01 %), 90 006 keV (64,29 %) et 8,71 keV (6,7 %), tandis que pour l'ion arsenic à 140 keV, la consommation d'énergie pour l'ionisation, la production de phon et la création de postes vacants est respectivement de 39 634 keV (28,31 %), 90 888 keV (64,92 %) et 9 478 keV (6,77 %). Le nombre de déplacements de cibles, de collisions de remplacement et de postes vacants est également évalué.
About the author
Karan Giri is betrokken geweest bij het onderzoek in de natuurkunde. Hij heeft drie artikelen gepubliceerd in drie verschillende online tijdschriften en een aantal artikelen is in behandeling. Bovendien heeft hij een groot enthousiasme voor het schrijven van natuurkundeboeken. Hij heeft gewerkt aan het schrijven van een natuurkundeboek voor middelbare scholieren.
