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E. Kasper, Kasper E.

Silicon-Molecular Beam Epitaxy
Volume I

Inglese · Copertina rigida

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Descrizione

This subject is divided into two volumes. Volume I is on homoepitaxy with the necessary systems, techniques, and models for growth and dopant incorporation., whilst Volume II treats all aspects of heteroepitaxy.

Info autore

E. Kasper

Riassunto

Dettagli sul prodotto

Autori	E. Kasper, Kasper E.
Editore	Taylor & Francis Ltd.

Contenuto	Libro
Forma del prodotto	Copertina rigida
Data pubblicazione	13.12.2017
Categoria	Scienze naturali, medicina, informatica, tecnica > Tecnica > Altro

EAN	9781315897516
ISBN	978-1-315-89751-6
Numero di pagine	260

Categorie	Materials science, TECHNOLOGY & ENGINEERING / Materials Science / General, FET, Field Effect Transistors, thin film deposition, semiconductor fabrication, CVD Growth, Misfit Dislocations, dopant incorporation, MBE Growth, epitaxial growth modeling, advanced silicon device engineering, three dimensional integrated circuits, insulator silicon interfaces, dopant incorporation techniques, Stacking Fault, Condensation Coefficient, Low Energy Ion Implantation, Si Flux, Interface State Density, Static RAM, Dopant Atoms, Analog Transistors, Porous Si, Porous Si Layer, Si Films, Common Base Current Gain, RHEED Oscillation, Hot Electron Transistors, Electron Beam Evaporators

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