Modelo de los efectos de la radiación láser sobre heteroestructuras semiconductoras - Efectos de la radiación láser en heteroestructuras semiconductoras utilizando métodos numéricos

En particular, el estudio se enfoca en un modelo matemático, que representa el control del Factor de Landé electrónico de una heteroestructura semiconductora de GaAs/GaAl/As. La no parabolicidad y la anisotropía de las bandas de conducción y de valencia se consideran mediante la utilización del Hamiltoniano de Ogg-McCombe, al respecto se han reportado trabajos previos del director del proyecto, y son el punto de partida para considerar las propiedades del factor de Landé del sistema como función del campo magnético variable aplicado y resultados del estudio de un sistema de muchos cuerpos.

A propos de l'auteur

Física y Magister. Docente Investigadora del Instituto Tecnológico Metropolitano de la ciudad de Medellín. Amplia experiencia docente en las áreas de Ciencias Básicas y Aplicadas.

Détails du produit

• Auteurs: Iliana María Ramírez Velásquez
• Edition: Editorial Académica Española
• Langues: Espagnol
• Format d'édition: Livre de poche
• Sortie: 30.09.2015
• EAN: 9783659096808
• ISBN: 978-3-659-09680-8
• Pages: 92
• Catégorie: Sciences naturelles, médecine, informatique, technique > Physique, astronomie > Autres